RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link