RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link