RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2844
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link