RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
92
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2908
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link