RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
92
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2908
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link