RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2532
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link