RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link