RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2755
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link