RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2943
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link