RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link