RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link