RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link