RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.4
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link