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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
1890
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
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