RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
20.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3835
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link