RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link