RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link