RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3759
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link