RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link