RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2760
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link