RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2947
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link