RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2947
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link