RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3082
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link