RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
1617
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link