RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
77
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
1688
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link