RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston 9905624-013.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2393
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link