RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston 9965640-035.C00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link