RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Kingston 9965640-035.C00G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
53
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link