RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3121
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link