RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.1
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
10.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link