RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2003
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link