RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2513
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Air Computers SRL MXUD3L08160011XB7R 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link