RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link