RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link