RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2703
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link