RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link