RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link