RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link