RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
29
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
17
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link