RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3003
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link