RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link