RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2653
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link