RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2976
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link