RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link