RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3559
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link