RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2995
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link