RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link