RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
58
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1740
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link