RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3180
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT8G3D21BCT1.16FN 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link