RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link