RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2893
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link