RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
21.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3684
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link