RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3024
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link