RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
29
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3593
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link